теория-только статьи

[VAD]

Мультиметр - универсальный прибор для измерений.

Измерение напряжения, тока, сопротивления и даже обычная проверка провода на обрыв не обходится без использования измерительных инструментов. Куда же без них. Даже пригодность батарейки не измерить, а тем более узнать хоть, что-то о состоянии какой-нибудь электронной схемы без измерений просто невозможно.

Напряжение измеряют вольтметром, амперметром меряют силу тока, омметром соответственно сопротивление, но речь в этой статье пойдет о мультиметре, который является универсальным прибором для измерений напряжений, тока и сопротивления.

В продаже можно встретить два основных типа мультиметров: аналоговый и цифровой.


Аналоговый мультиметр.


В аналоговом мультиметре результаты измерений наблюдается по движению стрелки (как на часах) по измерительной шкале, на которой подписаны значения: напряжение, ток, сопротивление. На многих (особенно азиатских производителей) мультиметрах шкала реализована не совсем удобно и для того, кто первый раз взял такой прибор в руку, измерение может доставить некоторые проблемы. Популярность аналоговых мультиметров объясняется их доступностью и ценой (2-3$), а основным недостатком является некоторая погрешность в результатах измерений. Для более точной подстройки в аналоговых мультиметрах имеется специальный построечный резистор, манипулируя которым можно добиться немного большей точности. Тем не менее, в случаях когда желательны более точные измерения, лучшим будет использование цифрового мультиметра.

Цифровой мультиметр.


Главный отличием от аналогового является то, что результаты измерения отображаются на специальном экране (в старых моделях на светодиодах, в новых на жидкокристаллическом дисплее). К тому же цифровые мультиметры обладают более высокой точностью и отличаются простотой использования, так как не приходится разбираться во всех тонкостях градуирования измерительной шкалы, как в стрелочных вариантах.


Немного подробней о том, что за что отвечает..

Любой мультиметр имеет два вывода, черный и красный, и от двух до четырех гнезд (на старых российских еще больше). Черный вывод является общим (масса). Красный называют потенциальным выводом и применяют для измерений. Гнездо для общего вывода помечается как com или просто (-) т.е. минус, а сам вывод на конце часто имеет так называемый "крокодильчик", для того, чтобы при измерении можно было зацепить его за массу электронной схемы. Красный вывод вставляется в гнездо помеченное символами сопротивления или вольты (ft, V или +), если гнезд больше чем два, то остальные обычно предназначаются для красного вывода при измерениях тока. Помечены как A (ампер), mA (миллиампер), 10A или 20A соответственно..

Переключатель мультиметра позволяет выбрать один нескольких пределов для измерений. Например, простейший китайский стрелочный тестер:

Постоянное (DCV) и переменное (ACV) напряжение: 10В, 50В, 250В, 1000В.

Ток (mA): 0.5мА, 50мА, 500мА.

Сопротивление (обозначается значком, немного похожим на наушники): X1K, X100, X10, что означает умножение на определенное значение, в цифровых мультиметрах обычно указывается стандартно: 200Ом, 2кОм, 20кОм, 200кОм, 2МОм.

На цифровых мультиметрах пределов измерений обычно больше, к тому же часто добавлены дополнительные функции, такие как звуковая "прозвонка" диодов, проверка переходов транзисторов, частотометр, измерение емкости конденсаторов и датчик температуры.
Для того, чтобы мультиметр не вышел из строя при измерениях напряжения или тока, особенно если их значение неизвестно, переключатель желательно установить на максимально возможный предел измерений, и только если показание при этом слишком мало, для получения более точного результата, переключайте мультиметр на предел ниже текущего.

Начинаем измерения.

Проверка напряжения, сопротивления, тока.
Измерить напряжение проще некуда, если постоянное ставим dcv, если переменное acv, подключаем шупы и смотрим результат, если на экране ничего нет, нет и напряжения. С сопротивлением так же просто, прикасаемся щупами к двум концам того, чье сопротивление нужно узнать, таким же способом в режиме омметра прозваниваются провода и дорожки на обрыв. Измерение силы тока отличаются тем, что щупы мультиметра должны быть врезаны в цепь, как будто это один из компонентов этой самой цепи.

Проверка резисторов.
Резистор должен быть выпаян из электрической цепи хотя бы одним концом, чтобы быть уверенным в том, что никакие другие компоненты схемы не повлияют на результат. Подключаем щупы к двум концам резистора и сравниваем показания омметра со значением которое указано на самом резисторе. Стоит учитывать и величину допуска (возможных отклонений от нормы), т.е. если по маркировке резистор на 200кОм и допуском ± 15%, его действительное сопротивление может быть в пределах 170-230кОм. При более серьезных отклонениях резистор считается неисправным.
Проверяя переменные резисторы, измеряем сперва сопротивление между крайними выводами (должно соответствовать номиналу резистора), а затем подключив щуп мультиметра к среднему выводу, поочередно с каждым из крайних. При вращении оси переменного резистора, сопротивление должно изменяться плавно, от нуля до его максимального значения, в этом случае удобней использовать аналоговый мультиметр наблюдая за движением стрелки, чем за быстро меняющимися цифрами на жидкокристалическом экране.

Проверка диодов.
Если имеется функция проверки диодов, то все просто, подключаем щупы, в одну сторону диод звониться, а в другую нет. Если данной функции нет, устанавливаем переключатель на 1кОм в режиме измерения сопротивления и проверяем диод. При подключении красного вывода мультиметра к аноду диода, а черного к катоду, вы увидите его прямое сопротивление, при обратном подключении сопротивление будет настолько высоко, что на данном пределе измерения вы не увидите ничего. Если диод пробит, его сопротивление в любую сторону будет равно нулю, если оборван, то в любую сторону сопротивление будет бесконечно большим.

Проверка конденсаторов.
Для проверки конденсаторов лучше всего использовать специальные приборы, но и обычный аналоговый мультиметр может помочь. Пробой конденсатора легко обнаруживается путем проверки сопротивления между его выводами, в этом случае оно будет равно нулю, сложнее с повышенной утечкой конденсатора. При подключении в режиме омметра к выводам электролитического конденсатора соблюдая полярность (плюс к плюсы, мунус к минусу), внутренние цепи прибора заряжают конденсатор, при этом стрелка медленно ползет вверх, показывая увеличение сопротивления. Чем выше номинал конденсатора, тем медленнее движется стрелка. Когда она практически остановится, меняем полярность и наблюдаем как стрелка возвращается в нулевое положение. Если что-то не так, скорее всего есть утечка и к дальнейшему использованию конденсатор не пригоден. Стоит потренироваться, так как, лишь при определенной практике можно не ошибиться.

Проверка транзисторов.
Обычный биполярный транзистор представляет собой два диода, включенных навстречу один другому. Зная, как проверяются диоды, несложно проверить и такой транзистор. Стоит учесть, что транзисторы бывают разных типов, p-n-p когда их условные диоды соединены катодами, и n-p-n когда они соединяются анодами. Для измерения прямого сопротивления транзисторных p-n-p переходов, минус мультиметра подключается к базе, а плюс поочередно к коллектору и эмиттеру. При измерении обратного сопротивления меняем полярность. Для проверки транзисторов n-p-n типа делаем все наоборот. Если еще короче, то переходы база-коллектор и база-эмиттер в одну сторону должны прозваниваться, в другую нет.


И еще пару советов напоследок.
При использовании стрелочного мультиметра, положите его на горизонтальную поверхность, так как в других положения точность показаний может заметно ухудщится. Не забывайте откалибровать прибор, для этого просто сомкните щупы между собой и переменным резистором (потенциометром) добейтесь, чтобы стрелка смотрела точно на ноль. Не следует оставлять мультиметр включенным, даже если на аналоговом приборе на переключателе нет положения - выкл. не оставляйте его в режиме омметра, так как в этом режиме постоянно теряется заряд батареи, лучше поставить переключатель на измерение напряжения.

Вообщем пока это все, что хотелось сказать, думаю, у новичков отпадет много вопросов по этому поводу, а вообще в этом деле тонкостей настолько много, что рассказать обо всем просто невозможно. По большей части такому даже не учат. Оно приходит само собой. И только с практикой. Так, что практикуйтесь, измеряйте, тестируйте и с каждым разом ваши знания будут все сильнее, а пользу от этого вы увидите уже при следующей неполадке. Только не забывайте про технику безопасности, как никак большие токи и высокие напряжения могут доставить и неприятностей!
Информация взята отсюда:
http://virtual-master.info/multimetr.html

[VAD]

Резистор
(англ. resistor, от лат. resisto - сопротивляюсь), структурный элемент электрической цепи (в виде законченного изделия), основное функциональное назначение которого оказывать известное (номинальное) сопротивление электрическому току с целью регулирования тока и напряжения. Серийно выпускаются промышленностью. В радиоэлектронных устройствах Р. нередко составляют более половины (до 80%) всех деталей. Некоторые Р. применяют для измерения температуры (у Р. такого типа ярко выражена зависимость сопротивления от температуры, см. Термометр сопротивления) или сопротивления (как одну из мер электрических величин),а также в качестве электрических нагревательных элементов. Выпускаемые промышленностью Р. различаются по величине сопротивления (от 1 ома до 10 Мом), допустимым отклонениям от номинальных значений сопротивления (от 0,25 до 20%) и рассеиваемой мощности (от 0,01 до 150 вт).Параметры Р. указываются на его корпусе, иногда в закодированной форме (например, в виде цветных полосок).
Сопротивление Р. определяется физическими свойствами и размерами его токопроводящей части (ТЧ). В зависимости от материала, из которого изготовлена ТЧ, Р. разделяют на металлические, углеродистые, жидкостные, керамические и полупроводниковые. По конструктивному исполнению различают Р. с ТЧ в виде плёнки, осажденной на поверхности диэлектрика, в виде проволоки, ленты или пластины. Для защиты от пыли, влаги и механических воздействий ТЧ в Р. небольшой мощности обычно покрывают стеклоэмалью, которая в случае проволочных ТЧ служит также изоляцией между отдельными витками. Существуют Р. как с постоянным по величине сопротивлением, так и с переменным; величина переменного сопротивления может изменяться в результате механического перемещения движка (реостат) либо вследствие нелинейной зависимости между током и напряжением (варистор, терморезистор).
Лит.: Мартюшов К. И., Зайцев Ю. В., Резисторы, М. - Л., 1966; Малинин Р. М., Резисторы, 2 изд., М., 1969; Чунихин А. А., Электрические аппараты, М., 1975.

[VAD]

Транзистор
(от англ. transfer - переносить и resistor - сопротивление), электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в 1948 У. Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином (Нобелевская премия, 1956). Т. составляют два основных крупных класса: униполярные Т. и биполярные Т.
В униполярных Т. протекание тока через кристалл обусловлено носителями заряда только одного знака - электронами или дырками (см. Полупроводники). Подробно об униполярных Т. см. в ст. Полевой транзистор.
В биполярных Т. (которые обычно называют просто Т.) ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков. Такой Т. представляет собой (рис. 1) монокристаллическую полупроводниковую пластину, в которой с помощью особых технологических приёмов созданы 3 области с разной проводимостью: дырочной (p) и электронной (n). В зависимости от порядка их чередования различают Т. p-n-p-типа и n-p-n-типа. Средняя область (её обычно делают очень тонкой) - порядка нескольких мкм, называется базой, две другие - эмиттером и коллектором. База отделена от эмиттера и коллектора электронно-дырочными переходами (р-n-переходами): эмиттерным (ЭП) и коллекторным (КП). От базы, эмиттера и коллектора сделаны металлические выводы.
Рассмотрим физические процессы, происходящие в Т., на примере Т. n-p-n-типа (рис. 1, а). К ЭП прикладывают напряжение Uбэ, которое понижает потенциальный барьер перехода и тем самым уменьшает его сопротивление электрическому току (то есть ЭП включают в направлении пропускания электрического тока, или в прямом направлении), а к КП - напряжение Ukб, повышающее потенциальный барьер перехода и увеличивающее его сопротивление (КП включают в направлении запирания или в обратном направлении). Под действием напряжения Uбэ через ЭП течёт ток iэ, который обусловлен главным образом перемещением (инжекцией) электронов из эмиттера в базу. Проникая сквозь базу в область КП, электроны захватываются его полем и втягиваются в коллектор. При этом через КП течёт коллекторный ток ik. Однако не все инжектированные электроны достигают КП: часть их по пути рекомбинирует с основными носителями в базе - дырками (число рекомбинировавших электронов тем меньше, чем меньше толщина базы и концентрация дырок в ней). Так как в установившемся режиме количество дырок в базе постоянно, то это означает, что часть электронов уходит из базы в цепь ЭП, образуя ток базы iб таким образом, iэ = ik + iб. Обычно iб<< ik, поэтому ik " iэ и Dik " Diэ. Величина a = Dik/Diэ называется коэффициентом передачи тока (иногда - коэффициентом усиления по току), зависит от толщины базы и параметров полупроводникового материала базы и для большинства Т. близка к 1. Всякое изменение Uбэ вызывает изменение iэ (в соответствии с вольтамперной характеристикой p-n-перехода) и, следовательно, ik. Сопротивление КП велико, поэтому сопротивление нагрузки Rн в цепи КП можно выбрать достаточно большим, и тогда Dik будет вызывать значительные изменение напряжения на нём. В результате на Rн можно получать электрические сигналы, мощность которых будет во много раз превосходить мощность, затраченную в цепи ЭП. Подобные же физические процессы происходят и в Т. р-n-p-типа (рис. 1, б), но в нём электроны и дырки меняются ролями, а полярности приложенных напряжений должны быть изменены на обратные. Эмиттер в Т. может выполнять функции коллектора, а коллектор - эмиттера (в симметричных Т.), для этого достаточно изменить полярность соответствующих напряжений.
В соответствии с механизмом переноса не основных носителей через базу различают бездрейфовые Т., в базе которых ускоряющее электрическое поле отсутствует и заряды переносятся от эмиттера к коллектору за счёт диффузии, и дрейфовые Т., в которых действуют одновременно два механизма переноса зарядов в базе: их диффузия и дрейф в электрическом поле. По электрическим характеристикам и областям применения различают Т. маломощные малошумящие (используются во входных цепях радиоэлектронных усилительных устройств), импульсные (в импульсных электронных системах), мощные генераторные (в радиопередающих устройствах), ключевые (в системах автоматического регулирования в качестве электронных ключей), фототранзисторы (в устройствах, преобразующих световые сигналы в электрические с одновременным усилением последних) и специальные. Различают также низкочастотные Т. (в основном для работы в звуковом и ультразвуковом диапазонах частот), высокочастотные (до 300 Мгц) и сверхвысокочастотные (свыше 300 Мгц).
В качестве полупроводниковых материалов для изготовления Т. используют преимущественно германий и кремний. В соответствии с технологией получения в кристалле зон с различными типами проводимости (см. Полупроводниковая электроника) Т. делят на сплавные, диффузионные, конверсионные, сплавно-диффузионные, мезатранзисторы, эпитаксиальные, планарные (см. Планарная технология) и планарно-эпитаксиальные. По конструктивному исполнению Т. подразделяются на Т. в герметичных металлостеклянных, металлокерамических или пластмассовых корпусах и бескорпусные (рис. 2); последние имеют временную защиту кристалла от воздействия внешней среды (тонкий слой лака, смолы, легкоплавкого стекла) и герметизируются совместно с устройством, в котором их устанавливают. Наибольшее распространение получили планарные и планарно-эпитаксиальные кремниевые Т.
С изобретением Т. наступил период миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры на базе достижений быстро развивающейся полупроводниковой электроники. По сравнению с радиоэлектронной аппаратурой первого поколения (на электронных лампах) аналогичная по назначению радиоэлектронная аппаратура второго поколения (на полупроводниковых приборах, в том числе на Т.) имеет в десятки и сотни раз меньшие габариты и массу, более высокую надёжность и потребляет значительно меньшую электрическую мощность. Размеры полупроводникового элемента современного Т. весьма малы: даже в самых мощных Т. площадь кристалла не превышает нескольких мм2.Надёжность работы Т. (определяется по среднему статистическому времени наработки на один отказ) характеризуется значениями ~105 ч, достигая в отдельных случаях 106 ч. В отличие от электронных ламп Т. могут работать при низких напряжениях источников питания (до нескольких десятых долей в), потребляя при этом токи в несколько мка. Мощные Т. работают при напряжениях 10-30 в и токах до нескольких десятков а, отдавая в нагрузку мощность до 100 вт и более.
Верхний предел диапазона частот усиливаемых Т. сигналов достигает 10 Ггц, что соответствует длине волны электромагнитных колебаний 3 см. По шумовым характеристикам в области низких частот Т. успешно конкурируют с малошумящими электрометрическими лампами. В области частот до 1 Ггц Т. обеспечивают значение коэффициента шума не свыше 1,5-3,0 дб. На более высоких частотах коэффициент шума возрастает, достигая 6-10 дб на частотах 6-10 Ггц.
Т. является основным элементом современных микроэлектронных устройств. Успехи планарной технологии позволили создавать на одном кристалле полупроводника площадью 30-35 мм2 электронные устройства, насчитывающие до нескольких десятков тыс. Т. Такие устройства, получившие название интегральных микросхем (ИС, см. Интегральная схема), являются основой радиоэлектронной аппаратуры третьего поколения. Примером такой аппаратуры могут служить наручные электронные часы, содержащие от 600 до 1500 Т., и карманные электронные вычислительные устройства (несколько тыс. т.). Переход к использованию ИС определил новое направление в конструировании и производстве малогабаритной и надёжной радиоэлектронной аппаратуры, получившее название микроэлектроники. Достоинства Т. в сочетании с достижениями технологии их производства позволяют создавать ЭВМ, насчитывающие до нескольких сотен тыс. элементов, размещать сложные электронные устройства на борту самолётов и космических летательных аппаратов, изготовлять малогабаритную радиоэлектронную аппаратуру для использования в самых различных областях промышленности, в медицине, быту и т.д. Наряду с достоинствами Т. (как и др. полупроводниковые приборы) имеют ряд недостатков, в первую очередь - ограниченный диапазон рабочих температур. Так, германиевые Т. работают при температурах не свыше 100 °С, кремниевые 200 °С. К недостаткам Т. относятся также существенные изменения их параметров с изменением рабочей температуры и довольно сильная чувствительность к ионизирующим излучениям. См. также Дрейфовый транзистор, Импульсный транзистор, Конверсионный транзистор, Лавинный транзистор.
Лит.: Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, [2 изд.], М., 1970; Кремниевые планарные транзисторы, под ред. Я. А. Федотова, М., 1973; З и С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., М., 1973.

[VAD]

Диод
[от ди... и (электр)од], двухэлектродный электровакуумный, ионный (газоразрядный) или полупроводниковый прибор с односторонней проводимостью электрического тока. Электровакуумные и ионные Д. имеют электроды: катод (источник электронов) с прямым или косвенным подогревом и анод (приёмник электронов). При положительном напряжении на аноде в электровакуумном Д. проходит электронный ток между его электродами, в газонаполненном Д., содержащем при пониженном давлении инертный газ, водород или пары ртути, возникают электронный и ионный токи. При отрицательном напряжении на аноде в этих Д. тока нет (см. Электровакуумный диод, Газотрон). В полупроводниковом Д. односторонняя проводимость возникает вследствие создания электронно-дырочного перехода в полупроводнике или в контакте металл-полупроводник (см. Полупроводниковый диод). Д. применяют в радиотехнике, электронике, энергетике и др. областях техники главным образом для выпрямления переменного тока, детектирования, преобразования и умножения частоты, переключения электрических цепей.

[VAD]

Конденсатор

Capacitor

фр.Condensateur; нем.Kondensator

Конденсатор - элемент электрической цепи, предназначенный для использования его электрической емкости.

Конденсатор состоит из двух или более проводников (обкладок), разделенных слоем диэлектрика, толщина которого мала по сравнению с размерами проводников.

Конденсаторы различаются:
- по форме обкладок - на плоские, цилиндрические, сферические и др.
- по типу диэлектрика - на воздушные, бумажные, слюдяные, керамические и др.

[VAD]

статьи из "радио"
ftp://10.10.10.38/users/vad/%F0%E0%E4%E8%EE/
слово о деталях.rar

[Imar]

Внесу свою небольшую лепту

Варистор
Варистор [англ. varistor, от vari (able) — переменный и (resi) stor — резистор]
– полупроводниковый нелинейный резистор.
Принцип его в том, что при увеличении приложенного к нему напряжения сопротивление нелинейно уменьшается
и одинаково под действием как положительного, так и отрицательного напряжения.
Варисторы используются в цепях, где необходимо ограничить напряжение на некоторых элементах. Изготавливают варисторы спеканием при температуре около 1700°С полупроводника — порошкообразного карбида кремния и связующего вещества.
Затем поверхность образца металлизируют и припаивают к ней выводы. Изменение электропроводности варистора с нарастанием напряжения на его выводах связано со сложными явлениями на контактах или на поверхности кристаллов (замыкание контактных зазоров между зёрнами полупроводника, увеличение проводимости поверхностных оксидных плёнок в сильных электрических полях и их пробой, возрастание тока через электронно-дырочные переходы, образующиеся между зёрнами, и др.). Низковольтные варисторы изготавливают на рабочее напряжение от 3 до 200 в и ток от 0,1 мА до 1 а; Высоковольтные варисторы - на рабочее напряжение до 20 кв. Варисторы имеют отрицательный температурный коэффициент сопротивления.

[VAD]

ftp://10.10.10.39/incoming/book/RadioLover/
архив из 5 частей
куча инфы по микросхемам и транзисторам
PDF_2.part1-5.rar
и ешё несколько справочников
radio7in1.rar

[VAD]

куча справочников
http://www.qrz.ru/reference/

[VAD]

http://www.rus-edu.bg/shp/schooldoc/...images/1x1.gif


Электротрансформатор

Вы помните, что уже второй век человечество использует электрический ток в промышленных масштабах. И все эти годы используется, в основном, переменный ток. В странах Европы и Америки наибольшее распространение получил ток, меняющий свое направление 100-120 раз в секунду. Логично предположить, что он имеет какие-то преимущества перед постоянным током. Да, действительно. В отличие от него, переменный ток одного напряжения способен легко поддаваться преобразованию в ток другого напряжения.
Например, напряжение, вырабатываемое электрогенераторами гидро- или теплоэлектростанций, лежит в пределах 10–20 кВ. Напряжение, при помощи которого выгодно передавать электроэнергию по проводам, лежит в пределах 100–1000 кВ. Напряжение, которое подводится к двигателям станков на заводах и фабриках – 380-600 В. Как видите, для производства, передачи и использования электроэнергии нужно применять различные напряжения. Следовательно, существует потребность в трансформации (лат. "трансформо" – преобразую) электрического тока одного напряжения в ток другого напряжения. Для этого применяют устройства, называемые электрическими трансформаторами.
Чтобы понять, как работает трансформатор, рассмотрим возникновение и распространение в пространстве магнитного поля катушки, в которой течет переменный ток (см. рисунок).
По мере нарастания тока (точки A, B, C) линии магнитного поля катушки продвигаются все дальше от нее. При убывании тока (точки C, D, E) линии сдвигаются обратно к катушке. При нарастании тока обратного направления (точки E, F) силовые линии вновь продвигаются в окружающее пространство. Поэтому, если вблизи катушки поместить проводник, то, согласно определению электромагнитной индукции, в нем должен возникать индукционный ток.
Чтобы получить наиболее сильный индукционный ток, в качестве второго проводника используют другую катушку, помещенную на общем сердечнике с первой. Такая конструкция и будет являться простейшим электрическим трансформатором. При подаче на его первичную (входную) обмотку какого-либо напряжения Uвх, на вторичной обмотке мы получаем напряжение Uвых. Оно будет больше первичного, если вторичная обмотка содержит больше витков, чем первичная обмотка. И наоборот. КПД трансформаторов достигает 95-99 %. Это означает, что практически вся энергия (работа) тока, проходящего по первичной обмотке трансформатора, превращается в энергию (работу) индукционного тока, возникающего во вторичной обмотке. То есть:
А1 = А2

I1U1·t = I2U2·t

I1U1 = I2U2
Итак, сила тока в первичной обмотке трансформатора во столько раз больше силы тока во вторичной его обмотке, во сколько напряжение в ней больше напряжения в первичной обмотке.
Трансформаторы, используемые в технике, могут быть устроены очень сложно, однако незыблемым остается принцип их действия: изменяющееся магнитное поле, созданное переменным током в первичной обмотке, пронизывая вторичную обмотку, индуцирует в ней переменный ток той же частоты, но другого напряжения.